各向异性磁阻效应(AMR):指某些材料(常见于铁磁金属)在外加磁场或磁化方向改变时,电阻会随电流方向与磁化方向之间的夹角而变化的一种现象,常用于磁传感与自旋电子器件中。(该术语也可泛指“各向异性磁阻”这一类效应。)
/ˌæn.aɪ.səˈtrɑː.pɪk mæɡˌniː.toʊ.rɪˈzɪs.təns/
Anisotropic magnetoresistance is widely used in magnetic field sensors.
各向异性磁阻效应广泛用于磁场传感器中。
In a ferromagnetic thin film, anisotropic magnetoresistance varies with the angle between the current and the magnetization, helping researchers track how domains rotate.
在铁磁薄膜中,各向异性磁阻效应会随电流方向与磁化方向的夹角而变化,从而帮助研究人员追踪磁畴如何发生旋转。
该短语由三部分构成:anisotropic(各向异性的)来自希腊语构词:*an-*(不、非)+ iso(相同)+ tropos(转向、方式),字面意思是“不是各向都一样”;magneto-(磁的)与希腊语中“磁石”相关;resistance(电阻)源自拉丁语 resistere(抵抗、反抗)。合在一起即“电阻对磁化方向呈现方向性变化的现象”。